[发明专利]真空微电子器件制造中的无版光刻工艺

权利要求书

1．真空微电子器件制造中的无版光刻工艺，在已有阴极尖锥阵列的芯片表面淀积一层绝缘层，并在绝缘层上再蒸发一层栅金属层，使栅金属层按阴极尖锥形貌呈现凹凸不平的状态，其特征是，然后在金属层上涂一层光刻胶，彻底将栅金属凸起的部分埋入，使胶层表面光滑平整，接着整片无版曝光，并均匀地一层层剥离光刻胶使栅金属层中凸起的部分首先暴露出来，然后对露出的金属进行腐蚀，待露出阴极尖锥后，去胶即可。

2．根据权利要求1所述的无版光刻工艺，其特征是，用旋转蒸发气相淀积或溅射淀积一层金属薄膜，使该金属薄膜保持芯片表面原有的凹凸特点，此金属薄膜也可以是多层金属膜。

3．根据权利要求1所述的无版光刻工艺，其特征是，所涂的胶层至少要高于栅金属层凸起部分的最高点。

4．根据权利要求1所述的无版光刻工艺，其特征是，在阴极尖锥阵列表面制做栅极，该阴极尖锥阵列可以是硅锥阵列，也可以是其他半导体材料和金属材料制做的阴极尖锥阵列。

5．根据权利要求1所述的无版光刻工艺，其特征是，在已有的阴极尖锥阵列表面制造一层绝缘层，该绝缘层可以是二氧化硅层，氮化硅层，磷硅玻璃层或多层绝缘膜。