[发明专利]无包层单量子阱II-VI族激光二极管无效
| 申请号： | 93105938.0 | 申请日： | 1993-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1034454C | 公开（公告）日： | 1997-04-02 |
| 发明（设计）人： | 程华;詹姆斯·M·德普伊特;迈克尔·A·哈泽;邱军 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达州采矿制造公司 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种无半导体包层的单量子阱II-VI族激光二极管，它包括由覆盖在n型GaAs衬底上的p型和n型光导层。CdSe/ZnSe短周期应变层超晶格单量子阱有源层位于两导向层之间。Au电极从与单量子阱有源层相反的一方覆盖在p型导向层之上。导向层的厚度使衬底和Au电极能把器件产生的光束约束在有源层和导向层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包层 量子 ii vi 激光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种II-VI族化合物半导体激光二极管，其特征在于包括：一第一种导电类型的单晶III-V族半导体衬底；覆盖在衬底上的第一种导电类型的II-VI族半导体的第一导向层；覆盖在第一导向层上的II-VI族半导体的单量子阱有源层；覆盖在有源层上的第二种导电类型的II-VI族半导体的第二导向层，第一和第二导向层形成一pn结；与第一导向层相对地覆盖在衬底上的第一电极层；与有源层相对地覆盖在第二导向层上的第二电极层；以及第一和第二导向层的厚度足以使衬底和第二电极把光束约束在有源层和第一、第二导向层内。
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