[发明专利]无包层单量子阱II-VI族激光二极管无效
| 申请号： | 93105938.0 | 申请日： | 1993-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1034454C | 公开（公告）日： | 1997-04-02 |
| 发明（设计）人： | 程华;詹姆斯·M·德普伊特;迈克尔·A·哈泽;邱军 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达州采矿制造公司 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包层 量子 ii vi 激光二极管 | ||
1.一种II-VI族化合物半导体激光二极管，其特征在于包括：
一第一种导电类型的单晶III-V族半导体衬底；
覆盖在衬底上的第一种导电类型的II-VI族半导体的第一导向层；
覆盖在第一导向层上的II-VI族半导体的单量子阱有源层；
覆盖在有源层上的第二种导电类型的II-VI族半导体的第二导向层，第一和第二导向层形成一pn结；
与第一导向层相对地覆盖在衬底上的第一电极层；
与有源层相对地覆盖在第二导向层上的第二电极层；以及
第一和第二导向层的厚度足以使衬底和第二电极把光束约束在有源层和第一、第二导向层内。
2.根据权利要求1的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述激光二极管的单量子阱有源层包括一CdZnSe层或CdSe/ZnSe短周期应变层超晶格层。
3.根据权利要求1或2的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述激光二极管的第一和第二导向层包括ZnSe层。
4.根据权利要求1的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述激光二极管的衬底包括一GaAs衬底.
5.根据权利要求1的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述激光二极管的第二电极为一Au电极层。
6.根据权利要求1的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述激光二极管的第一和第二导向层的总厚度在约2微米至6微米之间。
7.根据权利要求1的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述衬底包括一GaAs衬底；
第一和第二导向层包括总厚度在2微米至6微米之间的ZnSe层；
单量子阱有源层包括一CdSe/ZnSe短周期应变层超品格层；以及
第二电极包括一Au。
8.根据权利要求1的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述激光二极管进一步包括：
在衬底和第一导向层之间的第一种导电类型的第一欧姆接触层；和
在第二导向层和第二电极层之间的第二种导电类型的第二欧姆接触层。
8.根据权利要求1的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述激光二极管的第一和第二导向层包括晶格常数与衬底的晶格常数互相匹配的层。
9.根据权利要求1的II-VI族化合物半导体激光二极管，其中，所述激光二极管的第一和第二导向层包括晶格常数与衬底的晶格常数失配的II-VI族半导体层。
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