[发明专利]高临界温度超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法无效

专利信息
申请号: 92113753.2 申请日: 1992-12-11
公开(公告)号: CN1084027C 公开(公告)日: 2002-05-01
发明(设计)人: 周大卫 申请(专利权)人: 周大卫
主分类号: H01B12/00 分类号: H01B12/00;H01L39/24;H01L39/12;C04B35/50
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 美国佛*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 高Tc超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法。宏观方法为把一高Tc超导氧化陶瓷粉末压入一不与氧反应的中空体内;在足以烧结此超导氧化陶瓷粉末的条件下对已填入此氧化陶瓷粉末的中空体进行热处理;然后密封中空体的所有开口。热处理期间,可选择地施加交变磁场。微观方法为先制出高Tc超导氧化陶瓷薄膜;选择在某一磁场中烧结淀积的薄膜;利用扫描隧道电子处理机除去薄膜中的部分氧含量,以便在该薄膜的二个高Tc超导畴间形成微观绝缘层。$
搜索关键词: 临界温度 超导 氧化 陶瓷产品 及其 宏观 微观 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造可用作高Tc超导磁体的高Tc超导产品的方法,该磁体包括一连续闭合环,同时该闭合环有零电阻,该方法包括如下步骤:提供一个由不与氧反应的材料制成的第一中空体;提供一个由不与氧反应的材料制成的第二中空体;把高Tc超导氧化陶瓷粉末压入所述第一和第二中空体之内;然后将其内压入高Tc超导氧化陶瓷粉末的第一中空体与其内压入高Tc超导氧化陶瓷粉末的第二中空体接合,从而在该第一和第二中空体界定的范围内形成一连续环;接着,对在接合的第一和第二中空体内的所述高Tc超导氧化陶瓷粉末再度加压,以使其在该第一和第二中空体的接合处形成一连续的连接;然后在第一和第二中空体的至少一个的一端保持开启的状况下对接合的、其内压入高Tc超导氧化陶瓷粉末的第一和第二中空体进行热处理,所述热处理在氧气环境中进行,而且热处理的期间要经过烧结、退火和冷却;接着把所述第一和第二中空体中的至少一个的那个开口端密封起来,以防氧损耗;其中,在接合的第一和第二中空体进行热处理的步骤中,仅加热已压入的高Tc超导氧化陶瓷粉末,而在所述第一和第二中空体未接合之前,不对其内所压入的高Tc超导氧化陶瓷粉末加热。
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