[发明专利]高临界温度超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法

权利要求书

1.一种制造可用作高Tc超导磁体的高Tc超导产品的方法，该磁体包括一连续闭合环，同时该闭合环有零电阻，该方法包括如下步骤：

提供一个由不与氧反应的材料制成的第一中空体；

提供一个由不与氧反应的材料制成的第二中空体；

把高Tc超导氧化陶瓷粉末压入所述第一和第二中空体之内；然后

将其内压入高Tc超导氧化陶瓷粉末的第一中空体与其内压入高Tc超导氧化陶瓷粉末的第二中空体接合，从而在该第一和第二中空体界定的范围内形成一连续环；接着，

对在接合的第一和第二中空体内的所述高Tc超导氧化陶瓷粉末再度加压，以使其在该第一和第二中空体的接合处形成一连续的连接；然后

在第一和第二中空体的至少一个的一端保持开启的状况下对接合的、其内压入高Tc超导氧化陶瓷粉末的第一和第二中空体进行热处理，所述热处理在氧气环境中进行，而且热处理的期间要经过烧结、退火和冷却；接着

把所述第一和第二中空体中的至少一个的那个开口端密封起来，以防氧损耗；

其中，在接合的第一和第二中空体进行热处理的步骤中，仅加热已压入的高Tc超导氧化陶瓷粉末，而在所述第一和第二中空体未接合之前，不对其内所压入的高Tc超导氧化陶瓷粉末加热。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高Tc超导氧化陶瓷粉末是以5×10⁴psi到1×10⁷psi之间的净压强压入所述第一和第二中空体内的。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高Tc超导氧化陶瓷粉末是以至少1.2×10⁵psi的压强压入所述第一和第二中空体内的。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高Tc超导氧化陶瓷粉末是YBa₂Cu₃O_x，其中x在6.5和7.0之间。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对已接合的第一和第二中空体内的高Tc超导氧化陶瓷粉末进行再度加压的步骤是在5×10⁴psi以上的压强下进行的。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对已接合的第一和第二中空体之内的高Tc超导氧化陶瓷粉末再度加压的步骤是在5×10⁴psi到1×10⁷psi之间的压强下进行的。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括利用一实心金属基底围住已接合的第一和第二中空体的步骤，其中对已接合的第一和第二中空体之内的高Tc超导氧化陶瓷粉末的再度加压是在用所述实心金属基底围住所述已接合的第一和第二中空体的情况下进行的。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括在其内压入高Tc超导氧化陶瓷粉末的已接合的第一和第二中空体经过热处理之后和密封其开口端之前，对其高Tc超导性质加以测试的步骤。

9.一种利用权利要求1所述的方法制造出来的高Tc超导产品。

10.一种高Tc、零电阻的超导磁体，包括利用权利要求1所述的方法制造出来的高Tc超导产品。

11.一种制造超导连接部分以供连接二个超导产品的方法，包括如下步骤：

提供两个超导产品，它们各包括一个其内填入超导粉末的预成型模，且该预成型模至少设有一开口；

将所述预成型模的开口相互对准，以便在所述两个超导产品各自的超导粉末之间形成连接；然后

对所述连接部分进行局部加热，以便在所述二个超导产品之间制出一超导连接部分。