[发明专利]形成阈值开关器件的方法无效
| 申请号： | 92103131.9 | 申请日： | 1992-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1029652C | 公开（公告）日： | 1995-08-30 |
| 发明（设计）人： | 凯瑟·威托恩·米歇尔;尤多·C·湃尔尼兹 | 申请（专利权）人： | 埃克森化学专利公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成呈现负微分电阻特性的阈值开关器件的方法，以及用该方法形成的器件。该方法包括将从硅倍半噁烷树脂获得的二氧化硅膜淀积在至少两个电极之间，并在电极之间施加一个高于阈值电压的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 阈值 开关 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成具有负微分电阻特性的阈值开关器件的方法，其特征在于包括通过将从硅倍半噁烷树脂获得的非致密的二氧化硅膜淀积在至少两个电极之间，并且在电极之间施加一个高于阈值电压的电压从而形成器件的步骤。
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