[发明专利]形成阈值开关器件的方法

权利要求书

1、一种形成具有负微分电阻特性的阈值开关器件的方法，其特征在于包括通过将从硅倍半噁烷树脂获得的非致密的二氧化硅膜淀积在至少两个电极之间，并且在电极之间施加一个高于阈值电压的电压从而形成器件的步骤。

2、权利要求1的方法，其特征在于淀积二氧化硅膜通过以下步骤进行：用含有溶剂和硅倍半噁烷树脂的溶液涂敷基片，蒸发溶剂形成一预涂陶瓷层，然后热分解该预涂陶瓷层。

3、权利要求1的方法，其特征在于包括通过将由二氧化硅和一种或多种改性陶瓷氧化物组成的非致密的膜淀积在至少两个电极之间，并且在电极之间施加一个高于阈值电压的电压从而形成器件的步骤，其中二氧化硅和改性陶瓷氧化物膜是从硅倍半噁烷树脂和改性陶瓷氧化物前体得到的。

4、权利要求3的方法，其特征在于淀积膜通过以下步骤进行：用含有溶剂、硅倍半噁烷树脂和改性陶瓷氧化物前体的溶液涂敷基片，蒸发溶剂形成一预涂陶瓷层，然后热分解该预涂陶瓷层。