[发明专利]一种开管铝镓扩散工艺无效
| 申请号： | 90106318.5 | 申请日： | 1990-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1036101C | 公开（公告）日： | 1997-10-08 |
| 发明（设计）人： | 林玉松;刘秀喜;高大江 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/223 |
| 代理公司： | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人： | 李荣升,刘国涛 |
| 地址： | 250014 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种开管铝镓扩散工艺，属于高压大电流电力半导体器件生产领域中的一种一次P型扩散工艺。本发明是以硅片上涂布铝乳胶源扩散和开管镓扩散在同一扩散炉内经一次高温连续完成为特征的。本发明工艺简单，生产周期短，容易操作，稳定可靠，成本低，产品电参数一致性和动态特性好。采用本发明可提高产品合格率15-25％，提高优品率20％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开管铝镓 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种开管铝镓扩散工艺，(1)经前工序处理硅片(2)进行铝、镓扩散，扩铝是以铝乳胶源作为杂质源，(3)铝镓再分布(4)接后工序，其特征在于，硅片扩铝之后，不经抛光、氧化，以铝乳胶源为保护层连续进行扩镓，开管镓扩散时的硅片温度为1160-1230℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
