[发明专利]一种制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，它经覆盖层3中开孔2把电接触提供给露出的电导层1的区域10。在层3上制成一种材料的第一层4至第一厚度和不同材料的第二层5至第二厚度。然后各向异性蚀刻层4和层5，蚀刻层4要比层5慢，使层3的表面3a及区域10露出后，开孔2的侧壁2a仍由所述材料40和材料50包覆，向上的距离小于开孔2的深度，并与第一层的厚度和蚀刻层4和层5的速度有关。然后，在层3上制作电导层6与区域10形成电接触。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供电接触到一导电层的一个区域，该区域经由一复盖层开孔，通过设置复盖层上的另外的一层，各向异性蚀刻另外的层，以露出复盖层表面和导电层区域，在以露出区为界开孔的侧壁上留下另外层的部分，并且在复盖层上设置一导电层与露出的另一导电层区域形成接触，其特征在于，通过在复盖层上形成第一种材料的第一层至第一厚度，再在该第一层上以不同的材料形成第二层至第二厚度，组成另外的层，以及采用各向异性蚀刻的工艺，以不同的速率蚀刻第一和第二层，蚀刻第一层的速率要比第二层慢，所以，各向异性蚀刻使复盖层表面和所说的导电层露出后开孔侧壁仍然由所说的第一种材料层和所说的不同材料的部分包复着，所说不同材料的部分延伸在所说的第一种材料层上，从露出区向上直到开孔侧壁上有一段小于孔深的距离，且该距离与第一层厚度及用以蚀刻第一层和第二层的不同速率有关。