[发明专利]铋类氧化物超导体制造方法无效
| 申请号： | 89104929.0 | 申请日： | 1989-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1024057C | 公开（公告）日： | 1994-03-16 |
| 发明（设计）人： | 今井久美子 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01L39/24;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 吴大建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 铋类氧化物超导体制造方法，其中将包括Bi，碱土金属，铜和氧的Bi类氧化物超导物质或其前驱物的模制体进行热处理形成超导相后进行以下步骤之一，即(1)在氧分压不低于0.1atm的气氛中以不低于10℃/min的冷却速度将加热体从700℃冷却至200℃，(2)在氧分压低于0.1atm的气氛中以低于10℃/min的冷却速度将加热体从700℃冷却下来和(3)冷却加热体后在氧分压不高于0.1atm的气氛中于700-200℃对冷却后的加热体进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 超导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.铋类氧化物超导体制造方法，超导体由式Bi2Sr2Ca1Cu2Ox定义，其中包括该式中元素被另外的元素代替和各组分之比发生变化的类似晶体结构超导体，该方法将包括Bi，碱土金属，铜和氧的Bi类氧化物超导物质或其前驱物的形成体在TM-20℃(包括此温度)至TM+40℃(不包括此温度)下进行加热和焙烧，其中TM为氧化物超导物质或其前驱物的开始熔融温度，加热和熔烧处理的加热和焙烧体在氧分压不低于0.2atm的气氛中于700-890℃下烧制，形成超导相后进行以下步骤：在氧分压低于0.1atm的气氛中以低于10℃min的冷却速度将受热体从700℃冷却下来。
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