[发明专利]多晶结构X射线激发的闪烁体及其制备方法无效
| 申请号： | 88103386.3 | 申请日： | 1988-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1020584C | 公开（公告）日： | 1993-05-12 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·约瑟夫·里德纳;埃多根·奥默尔·吉尔门;查理斯·戴维德·格里斯科维奇;多米尼克·安索尼·库萨诺 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;G01T1/202 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种照相用的多晶结构X射线激发闪烁体及制备方法，为减少闪烁体受X辐射时的辐射损伤，对其进行受控氧化退火处理。经此处理的陶瓷材料由具有立方晶系结构的含紧密烧结稀土掺杂氧化钆的金属氧化物组成。陶瓷成份包括约5～50克分子百分比的Gd2O3，约0.5～12克分子百分比选自Eu2O3和Nd2O3的稀土活性氧化物和约0.0001～0.5克分子百分比至少一种选自Pr1O3和Tb2O3的余辉衰减剂，其余成份为Y2O3。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 结构 射线 激发 闪烁 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶结构X射线激发的闪烁体，包括具有立方晶系结构的、烧结的稀土掺杂氧化轧—氧化钇陶瓷，该闪烁体经过受控含氧环境下的退火处理，以减少在把上述X射线转换成显示图象的过程中，受X辐射而产生的辐射损伤，所述陶瓷包括：大约5-50个克分子百分比的Gd2O3、大约0.05-12个克分子百分比的选自Eu2O3和Nd2O3的稀土活性氧化物和0.0001-0.5个克分子百分比的至少一种选自Pr2O3和Tb2O3的余辉衰减剂，上述成份的其余部分为Y2O3，上述受控含氧退火处理是在1000℃至1500℃及在大约10-4到10-2个大气压(1个大气压为1013×1015帕)的氧分压环境下进行的，上述闪烁体暴露于X射线时比没有氧化退火的闪烁体有较小的效率损耗。
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