[发明专利]多晶结构X射线激发的闪烁体及其制备方法

权利要求书

1、一种多晶结构X射线激发的闪烁体，包括具有立方晶系结构的、烧结的稀土掺杂氧化钆一氧化钇陶瓷，该闪烁体经过受控含氧环境下的退火处理，以减少在把上述X射线转换成显示图象的过程中，受X辐射而产生的辐射损伤，

所述陶瓷包括：大约5-50个克分子百分比的Gd₂O₃、大约0.05-12个克分子百分比的选自Eu₂O₃和Nd₂O₃的稀土活性氧化物和0.0001-0.5个克分子百分比的至少一种选自Pr₂O₃和Tb₂O₃的余辉衰减剂，上述成份的其余部分为Y₂O₃，上述受控含氧退火处理是在1000℃至1500℃及在大约10^-4到10^-2个大气压(1个大气压为1013×10¹⁵帕)的氧分压环境下进行的，上述闪烁体暴露于X射线时比没有氧化退火的闪烁体有较小的效率损耗。

2、如权利要求1所述的闪烁体，其特征在于：上述受控退火处理是在低于大气压的空气环境中进行的。

3、如权利要求1所述的闪烁体，其特征在于：低于大气压的空气压力保持在大约5×10^-7-1.5×10^-1个大气压的范围内。

4、如权利要求1所述的闪烁体，其特征在于：稀土活性氧化物是.Eu₂O₃。

5、如权利要求1所述的闪烁体，其特征在于：陶瓷体中含有作为透明度增进致密剂的、选自锆、铪、钍、钽的其它金属离子。

6、如权利要求1所述的闪烁体，其特征在于：陶瓷体中还包含至少一种选自CaO和SrO的光输出恢复剂，其量应足以产生高于无上述恢复剂的陶瓷体的光输出。

7、一种制备多晶结构X射线激发的闪烁体的方法，该闪烁体抗辐射损伤能力更强，其特征在于包括下列步骤：

a.烧结一种含稀土掺杂氧化钆的金属氧化物坯块，以形成一种具有立方晶结构的紧密型陶瓷体，所述金属氧化物坯块的成份包括：大约5-50个克分子百分比的Gd₂O₃、大约0.05-12个克分子百分比的选自Eu₂O₃和Nd₂O₃的稀土活性氧化物和0.0001-0.5个克分子百分比的至少一种选自Pr₂O₃和Tb₂O₃的余辉衰减剂，上述成份的其余部分为Y₂O₃;及

b.在受控含氧环境中对上述陶瓷体进行退火处理，所述受控含氧退火处理是在1000℃至1500℃及在大约10^-4到10^-2个大气压的氧气分压环境中进行的，上述闪烁体暴露于X射线时比没有氧化退火的闪烁体有较小的效率损耗。

8、如权利要求7所述的方法，其特征在于：受控退火处理是在低于大气压的空气环境中进行的。

9、如权利要求8所述的方法，其特征在于：上述低于大气低的环境保持在大约5×10^-7到1.5×10^-1大气压的范围内。

10、如权利要求7所述的方法，其特征在于：烧结工作是由热压完成的。

11、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述稀土活性氧化物是氧化（Eu₂O₃）。

12、如权利要求7所述的方法，其特征在于：上述金属氧化物坯块含有作为透明度增进致密剂的、选自锆、铪、钍、钽的其它金属离子。

13、权利要求12所述的方法，其特征在于：上述金属氧化物坯块还至少包含一种选自CaO和SrO的光输出恢复剂，其量应足以产生高于无上述恢复剂的闪烁体的光输出。

14、如权利要求1至7中所述闪烁体用于放射照相系统。