[发明专利]超导器件无效
| 申请号： | 88101032.4 | 申请日： | 1988-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1007480B | 公开（公告）日： | 1990-04-04 |
| 发明（设计）人： | 西野寿一;川边潮;樽谷良信;小南信也;会田敏之;深泽德海;波田野睦子 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L39/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 赵越 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba，Sr，Ca，Mg和Ra中的至少一种元素；选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素；Cu；和O。超导体晶体的C一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 器件 | ||
【主权项】：
1.超导器件包括：半导体本体或正常导体本体；并且至少两个超导体接触形成在上述半导体或正常导体本体上，它们彼此分隔以便通过所述半导体本体和所述正常导体本体形成超导弱连接，其特征在于：所述超导体是钙钛矿型或钾二镍氟四(K2NF4)晶体结构，含有至少一种从包括Ba、Sr、Ca、Mg和Ra元素族选样的元素；和至少一种从包括La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu和Tb；Cu；和O；中选出的元素；所述超导体晶体的C轴方向基本上垂直于流经所述超导体电流的方向。
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