[其他]多源型平面磁控溅射源无效
| 申请号： | 87214297 | 申请日： | 1987-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN87214297U | 公开（公告）日： | 1988-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王德苗;任高潮 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/36 | 分类号： | C23C14/36;C23C14/54 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种多源型平面磁控溅射源，包含一个或多个可作旋转运动的内磁组件(6)，由若干个可拆换的异质扇形小靶拼成的阴极靶(8)。用于共溅沉积合金膜、多层膜或单质薄膜，靶材利用率达75％以上，膜层成份配比精度高，厚度均匀性好。 | ||
| 搜索关键词： | 多源型 平面 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1、一种由磁场源、阴极靶、水冷器以及屏蔽罩等组成的多源型平面磁控溅射源，其特征在于该溅射源含有一个由静止的外磁组件和一个或多个可作旋转运动的内磁组件[6]组成的磁场源，一个由若干个异质扇形小靶拼成的圆形平面阴极靶[8]，一个布置在阴极靶[8]上方、开有一个或若干个扇形孔、能与内磁组件[6]作同步运动的挡板[25]，以及一个优先冷却阴极靶[8]溅射区的水冷器。
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