[其他]枪式磁控溅射源无效
| 申请号： | 87105701 | 申请日： | 1987-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1004558B | 公开（公告）日： | 1989-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王德苗;梁素珍;任高潮;徐电;陈抗生 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 连寿金 |
| 地址： | 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能对阴极靶４的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的枪式磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较，靶材利用率提高８０％以上，溅射速率提高５０％。对于集成电路、塑料制品、玻璃陶瓷、工艺品、金属零件的表面，应用装有本溅射源的磁控溅射机镀覆一层结合牢固的金属薄膜后，能提高其应用价值，产生良好的经济效益。应用本技术可方便地对现有的镀膜机进行改造。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1、一种含有一个磁场源、一个阴极靶、一个靶的水冷器、一个中心阳极以及一个屏蔽罩等构成的S-枪磁控溅射源，其特征在于该溅射源包含一个采用导磁材料制成的中心阳极，一个等厚度的阴极靶[4]，一个能使阴极靶[4]底部、侧面和上极靴[9]同时得到有效冷却的水冷器，一个使阴极靶[4]靶面始终保持洁净工作气氛的充气器。
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