[其他]提高场效应晶体管柱绝缘性的方法无效
| 申请号： | 87104018 | 申请日： | 1987-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN87104018B | 公开（公告）日： | 1988-08-10 |
| 发明（设计）人： | 胡缙昌;庞金兴;丁振亚 | 申请（专利权）人： | 武汉工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/30 |
| 代理公司： | 湖北省专利事务所 | 代理人： | 李延瑾,朱盛华 |
| 地址： | 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种处理场效应晶体管柱封装的玻璃表面，提高其绝缘性的方法，该方法是采用有机硅烷对场效应晶体管柱进行处理，处理过程为清洗表面，有机硅烷浸泡，红外干燥，固化，抽取，再红外干燥，干燥器中干燥。本发明具有工艺过程简单，易于操作，无毒害作用的优点。玻璃表面经处理后肉眼观察不出其变化。经本法处理过的玻璃封装场效应晶体管柱电阻率可达1013欧姆·厘米以上，并具有良好的憎水性，抗湿性，耐酸性。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 场效应 晶体 管柱 绝缘性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高场效应晶体管柱绝缘性的方法，是将晶体管柱封装的玻璃表面、经二官能团的有机硅烷溶液浸渍、固化、干燥处理。其特征在于、处理之前先经有机溶剂清洗、而后经有机硅烷溶液浸泡、固化、然后置于脂肪提取器中进行反复抽取。而后再红外干燥。反复以上过程3--7次后、再在干燥器中干燥、二官能团的有机硅烷选用双官能团带苯基PH2Si(OR)2有机硅烷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉工业大学，未经武汉工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/87104018/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中国冬虫夏草真菌及其人工培养方法
- 下一篇：消除硫、铬污染的制革新工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
