[发明专利]辐射温度传感器用的硅探测器筛选方法无效
申请号: | 86100837.5 | 申请日: | 1986-01-10 |
公开(公告)号: | CN1006408B | 公开(公告)日: | 1990-01-10 |
发明(设计)人: | 姜世昌;吴淑媛;叶荣昌 | 申请(专利权)人: | 机械工业部上海工业自动化仪表研究所 |
主分类号: | G01J5/20 | 分类号: | G01J5/20 |
代理公司: | 机械电子工业部上海专利事务所 | 代理人: | 朱淑球,欧阳坚 |
地址: | 上海漕宝*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属于一种辐射温度测定技术,是按照非平衡式部分辐射温度传感器一致性的指标进行预先筛选硅光电池探测器,然后在一个温度点统调的方法代替传统的逐点温度比较的方法获得非平衡式部分辐射温度传感器分度特性,并使其分度特性取得一致。既节约了调试时间和能源的消耗,同时降低了成本,也简化了辐射温度传感器的维修工作。 | ||
搜索关键词: | 辐射 温度 传感 器用 探测器 筛选 方法 | ||
【主权项】:
1.一种使非平衡式部分辐射温度传感器分度特性一致的方法,其特征是按照对非平衡部分辐射温度传感器一致性的指标要求,对硅探测器进行预先筛选,以便在—个温度点上对装有经筛选合格的硅探测器的传感器进行统调代替逐点温度比较的方法,使非平衡式部分辐射温度传感器的分度特性一致,筛选硅探测器的方法:a.以下式作为辐射温度传感器的误差表达式:ΔT=±n%T,式中ΔT为辐射温度传感器的一致性的允许误差,T为被测黑体温度,以开尔文温标计,n%为误差的百分数;b.按下式求得辐射温度传感器在测温量程上限信号确定以后下限输出信号的允许变化范围:作为筛选硅探测器的依据,式中V为被测黑体温度为T时辐射温度传感器的输出值,ΔV为被测黑体温度变化ΔT时辐射温度传感器的输出变化值,λe(T)为辐射温度传感器的综合有效波长;C2为第二辐射常数;c.在确定硅探测器的最大负载以后,进行硅探测器的筛选,将待筛选的硅探测器置于装有滤光片的辐射温度传感器模拟装置[12]中,使辐射温度传感器,瞄准温度为该传感器测温量程上限的钨带灯[11],在等效负载[13]上取分压,使传感器的输出等于规定值,然后,将钨带灯[11]的温度降低至辐射温度传感器
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