[发明专利]基底附热熔粘合剂集成电路硅芯片复合物的制做方法无效
| 申请号： | 86100204.0 | 申请日： | 1986-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1004843B | 公开（公告）日： | 1989-07-19 |
| 发明（设计）人： | 加里·查尔斯·戴维斯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L21/80 | 分类号： | H01L21/80;H01L21/96;H01L21/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 刘元金,罗宏 |
| 地址： | 美国纽约州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了一种制做在硅基底上附有热熔粘合剂的集成电路硅组合件小片的方法。当一种热熔粘合剂被甩涂到硅基底上之后，片状的集成电路组合件硅片被切割，同时，由将集成电路硅小片整体地粘在导体村底上的方法，可制出集成电路硅组合件阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 附热熔 粘合剂 集成电路 芯片 复合物 制做 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅基底上附有聚醚亚胺硅氧烷的集成电路硅小片组合件的制作方法，此方法包括：(1)在约2000-7000rpm下，将聚醚亚胺硅氧烷的有机溶剂溶液甩涂到其上表面有着大量的集成电路的硅片的基底上；(2)起初在约100-120℃的温度下，继之在约180-220℃的温度下，使涂好的聚醚亚胺硅氧烷干燥；(3)切割硅片，以制备出大批在相应基底上有一层聚醚亚胺硅氧烷薄层的集成电路硅小片的组合件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
