[发明专利]MicroLED像素单元形成方法在审
| 申请号： | 202311068064.0 | 申请日： | 2023-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN116779733A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄涛 | 申请（专利权）人： | 晶能光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MicroLED像素单元形成方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层，且半导体发光结构表面被划分为像素区域和沟槽区域；在半导体发光结构的像素区域表面形成掩膜材料；对沟槽区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，将形成有沟槽的半导体发光结构键合至支撑基板表面；去除生长衬底；对去除了生长衬底的整面半导体发光结构进行处理，直至将沟槽区域剩余的半导体发光结构去除干净，完成对半导体发光结构的像素化，在支撑基板表面形成像素单元，能够有效提升像素单元形成过程中图形化的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | microled 像素 单元 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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