[发明专利]存储器刷新保持方法、电路以及存储器件、模组设备在审

专利信息
申请号: 202310939085.9 申请日: 2023-07-28
公开(公告)号: CN116935917A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 王小光;王嵩;廖宇杰 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体股份有限公司
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 李娇
地址: 710065 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开一种存储器刷新保持方法、电路以及存储器件、模组设备,首先检测是否存在软复位请求;若检测存在软复位请求,则开启动态随机存储器的自刷新;并在软复位过程中。如此,通过对DRAM内部进行软复位请求检测,从而在DRAM进入软复位期间,触发片内自刷新,以保证软复位期间DRAM刷新不中断,DRAM内的数据也依旧可以有效保持,使得软复位重启后无需重新加载固件程序,从而提高片内系统运行效率。
搜索关键词: 存储器 刷新 保持 方法 电路 以及 存储 器件 模组 设备
【主权项】:
暂无信息
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