[发明专利]一种改善SGT阈值电压稳定性的工艺方法及SGT器件在审
| 申请号： | 202310934314.8 | 申请日： | 2023-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN116666223A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 丁振峰;兰立新 | 申请（专利权）人： | 江西萨瑞半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/033;H01L21/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市临空经济区*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善SGT阈值电压稳定性的工艺方法及SGT器件，该方法通过刻蚀出沟槽后，对沟槽的宽度进行测量，将测量得到的沟槽宽度值与对应的目标值作差，将第一差值输入映射模型中，输出第一目标档位，后在沟槽中形成栅极，然后控制源极离子注入，并根据第一目标档位，调用光刻程序，以对通孔的刻蚀进行控制，后对通孔宽度进行测量，将测量结果与对应的目标值作差，得到第二差值，并根据第二差值确定第二目标档位，最后判断第一目标档位与第二目标档位是否为同一档位，若是，则控制工艺流程结束，若否，则重新调试光刻程序，以使最终刻蚀的第一差值和第二差值所属档位相同，保证沟槽尺寸和通孔尺寸波动情况，从而改善阈值电压的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sgt 阈值 电压 稳定性 工艺 方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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