[发明专利]一种基于MOCVD的垂直GaN器件的掩膜钝化层生长方法在审
| 申请号： | 202310932424.0 | 申请日： | 2023-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116825619A | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 祝庆;冯文军 | 申请（专利权）人： | 福州镓谷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 350000 福建省福州市长乐区文武砂街*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及GaN器件的掩膜钝化层生长技术领域,公开了一种基于MOCVD的垂直GaN器件的掩膜钝化层生长方法，本发明在制作垂直GaN器件的掩膜钝化层时，可以不用将器件堆从MOCVD反应器中取出，能直接在MOCVD中直接对器件堆进行掩膜钝化层制作，这样可以避免垂直GaN器件从MOCVD中取出而产生颗粒或者划伤；另外由于提前在MOCVD中在器件堆的顶面制作了掩膜钝化层，在降温时不用担心GaN表面被刻蚀分解；最后由于掩膜钝化层和GaN层均在高温下生长，掩膜钝化层和GaN层的匹配性好，不会因为热膨胀或者热收缩导致器件出现撕裂等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mocvd 垂直 gan 器件 钝化 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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