[发明专利]隔离沟槽的形成方法、绝缘沟槽以及导电沟槽在审
| 申请号： | 202310930811.0 | 申请日： | 2023-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN116936459A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李旭锋;王欢;王前文 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种隔离沟槽的形成方法，包括：形成沟槽于衬底中，其中衬底包括彼此相对的第一表面及第二表面，沟槽从第一表面延伸至衬底内部；形成绝缘层于沟槽的两侧壁及底部，其中位于沟槽的两侧壁及底部的绝缘层界定内部空间；以及填充辅助层于沟槽中，其中，辅助层具有良好的阶梯覆盖能力以完全填充内部空间。透过前述配置，防止金属层的空洞产生，进而实现无空洞的深沟槽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 沟槽 形成 方法 绝缘 以及 导电 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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