[发明专利]一种三端固定负输出电压调整器制作方法在审
| 申请号： | 202310919205.9 | 申请日： | 2023-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN116936472A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张宝华 | 申请（专利权）人： | 无锡天和电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;G05F1/569;H01L27/07 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云;黄莹 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本申请提供的一种三端固定负输出电压调整器制作方法，其引入高浓度特硼掺杂工艺制作电压基准电路中的齐纳二极管，确保得到性能优异的内部基准源Vref；使用高浓度深结硼掺杂工艺，制作超β横向LPNP晶体管，将超β横向LPNP晶体管的掺杂特硼结深控制到5um，确保LPNP晶体管的放大倍数HFE将达到50~60倍，有效的提升了电路内部LPNP得性能，提高了LPNP管的发射效率，而且还保持了LPNP晶体管的原有高击穿电压BV |
||
| 搜索关键词： | 一种 固定 输出 电压 调整器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡天和电子有限公司，未经无锡天和电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310919205.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
