[发明专利]垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用有效
申请号: | 202310918941.2 | 申请日: | 2023-07-26 |
公开(公告)号: | CN116648121B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 郝群;魏志鹏;唐鑫;陈梦璐 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | H10K71/12 | 分类号: | H10K71/12;H10K71/15;H10K30/60;H10K71/00;H10K30/20 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 姜欢欢 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用。本发明属于光电子器件新材料领域。本发明为解决现有钙钛矿异质结制备方法复杂,不利于大规模生产以及所得钙钛矿异质结光电性能不高的技术问题。本发明分别对底层和上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂进行选取,以过饱和的乙氰和甲胺的乙醇溶液构成的混合溶液作为上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂,既保持顶层钙钛矿的结晶浓度,又保持底层不被其溶解;此外,通过设计垂直钙钛矿异质结薄膜各层厚度,构建出一种上层钙钛矿薄膜厚度远超底层钙钛矿薄膜厚度的垂直钙钛矿薄膜异质结,本发明的方法更加的简便快速,易于大面积制备,便于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 垂直 钙钛矿异质结 薄膜 及其 连续 大面积 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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