[发明专利]一种Au纳米颗粒修饰下电极的氧化铌薄膜阻变存储器的制备方法在审
| 申请号： | 202310903668.6 | 申请日： | 2023-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN116782754A | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 徐静;刘雍;郑长波;熊锐;程晋炳 | 申请（专利权）人： | 南阳师范学院;武汉大学 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10N70/20 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所(普通合伙) 42001 | 代理人： | 余晓雪 |
| 地址： | 473061 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明属于半导体阻变存储器技术领域，具体公开了一种Au纳米颗粒修饰下电极的氧化铌薄膜阻变存储器的制备方法。本发明以Au纳米颗粒修饰基片，具体方式为：将沉积有下电极Pt的Pt/Ti/SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 au 纳米 颗粒 修饰 电极 氧化 薄膜 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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