[发明专利]光阻层厚度监控方法在审
| 申请号： | 202310889169.6 | 申请日： | 2023-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN116931386A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨红美;宋振伟;张其学;金佩;陈浩;孙芳;黄灿;王雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 赵薇 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光阻层厚度监控方法。方法包括：获得半导体晶片，半导体晶片的目标表面上形成若干沟槽，目标表面上形成第一对称轴；向目标表面上涂覆光刻胶，同一直径方向且位于第一对称轴两侧位置的流胶方向相反，形成光阻层；曝光并显影光阻层，在沟槽的同一侧形成监控图形；测量半导体晶片上所有监控图形的关键尺寸；基于各个监控图形在目标表面上的位置与关键尺寸的对应关系，将目标表面划分形成全域监控图形关键尺寸分布图谱；基于全域监控图形关键尺寸分布图谱是否关于第一对称轴呈反对称关系，确定光阻层的厚度是否足量。 | ||
| 搜索关键词： | 光阻层 厚度 监控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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