[发明专利]一种基于硒化锑铋薄膜的柔性红外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310864323.4 | 申请日： | 2023-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN116913996A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 杨皓哲;李康华;高睿思;汤子成;王欣玥;何雯;吴青岭 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/109;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于光电材料及光电探测器制备领域，公开了一种基于硒化锑铋薄膜的柔性红外探测器及其制备方法，该柔性红外探测器自下而上包括柔性衬底、透明导电层、N型缓冲层、P型硒化锑铋薄膜和顶电极；其中，P型硒化锑铋薄膜为铋元素掺杂的硒化锑薄膜。本发明通过铋元素掺杂得到P型硒化锑铋薄膜作为吸光层，能够灵活调控吸收带边，以满足不同的红外探测实际需求，尤其适用于1100nm‑1400nm波长的短波红外探测。并且，本发明能够在较低的温度下实现吸光层的制备，对柔性衬底非常友好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硒化锑铋 薄膜 柔性 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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