[发明专利]垂直腔面发射激光器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202310835308.7 申请日: 2023-07-07
公开(公告)号: CN116780337A 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 李明华;朱奇荣;黄涛;王祥昊 申请(专利权)人: 常州承芯半导体有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李娟
地址: 213166 江苏省常州市武*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种垂直腔面发射激光器及其形成方法,其结构包括:衬底;位于所述衬底表面的第一反射器层;位于部分所述第一反射器层表面的第一限制结构,所述第一限制结构包括第一限制层;位于所述第一限制结构表面的有源层;位于所述有源层表面的第二限制结构,所述第二限制结构包括第二限制层,所述第一限制层的材料具有第一带隙宽度,所述第二限制层的材料具有第二带隙宽度,所述第一带隙宽度小于所述第二带隙宽度;位于所述第二限制结构表面的第二反射器层,使电子限制在有源层附近,增加电子和空穴的复合概率,利于提高垂直腔面发射激光器的光电转换效率、降低阈值电流。
搜索关键词: 垂直 发射 激光器 及其 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
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