[发明专利]一种钇改性难熔高熵硅化物涂层及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310798653.8 申请日: 2023-06-30
公开(公告)号: CN116815113A 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 沈宝龙;匡娟;莫寰宇;王倩倩 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C23C10/52 分类号: C23C10/52
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 李倩
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种钇改性难熔高熵硅化物涂层及其制备方法,本发明钇改性难熔高熵硅化物涂层具有1450℃优异抗氧化性能与2100℃超高温抗烧蚀性能,制备方法包括如下步骤:(1)配制渗剂:所述渗剂由如下质量百分比的组分组成:25~35%Si粉、2~8%Y2O3粉、3~5%NaF粉以及Al2O3粉余量;(2)将NbMoTaW难熔高熵合金基体埋入装有渗剂的坩埚中并压实,将坩埚加盖并密封,NbMoTaW难熔高熵合金基体在惰性气氛中于900~1200℃下进行包埋渗硅处理,处理时间为3~24h;在NbMoTaW难熔高熵合金表面得到钇改性难熔高熵硅化物(NbMoTaW)Si2涂层。
搜索关键词: 一种 改性 难熔高熵硅化物 涂层 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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