[发明专利]一种晶圆多等级测试方法及装置有效
| 申请号： | 202310729629.9 | 申请日： | 2023-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN116504663B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 黄辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯片测试技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/95 |
| 代理公司： | 深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙) 44850 | 代理人： | 刘临利 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片测试的技术领域，公开了一种晶圆多等级测试方法及装置；本发明通过对晶圆的表面冗余物、滑移线缺陷以及WAT测试为待测试晶圆赋予三个标记，并根据标记对晶圆进行分类，在完成分类后从各个类别中各抽取一个待测试晶圆用于制备目标芯片，并对制得的目标芯片进行性能测试，结合测试结果可以得出待测试晶圆的各项检测的权重值，根据权重值即可对任意一件待测试晶圆进行检测时为其赋予权重值，以得到判断晶圆性能的等级分，如此获得的待测试晶圆的等级能够直接与制得的目标芯片的性能呈正相关关系，解决了现有技术中晶圆的分级无法直接与制备的目标芯片的性能相关的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆多 等级 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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