[发明专利]一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202310711969.9 | 申请日： | 2023-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN116936468A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 扈静;芮祥新;汪穹宇;李建恒 | 申请（专利权）人： | 合肥安德科铭半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 苏宇 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铜互连扩散阻挡层结构及其制备方法，包括：衬底和扩散阻挡层，所述衬底包括第一导电层和介质层；所述扩散阻挡层设置在衬底和第二导电层之间，所述扩散阻挡层包括依次设置的铌层、铌硅氮化物层和氮化铌层，所述第三层与所述第二导电层接触。通过在铜层和介质层之间设置有多层膜结构的阻挡扩散层，可以有效阻挡铜扩散到介质层中。同时，阻挡扩散层包括铌硅氮化物层和氮化铌层，且氮化铌层位于铌硅氮化物层与铜层之间，可以有效防止铌硅氮化物层中的硅元素进入铜层，破坏铜的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互连 扩散 阻挡 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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