[发明专利]一种磁性掺杂的拓扑态GaN光电阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 202310682129.4 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116613044A | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 王晓晖;任超;陈睿;简贤 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学长三角研究院（湖州） |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州市西塞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性掺杂的拓扑态GaN光电阴极及其制备方法。该磁性掺杂的拓扑态GaN光电阴极的结构包括：由下至上依次设置的金属膜、衬底、缓冲层、磁性掺杂的拓扑态GaN、激活层。磁性掺杂的拓扑态GaN材料具有载流子传输效率高、光谱响应范围宽、材料带隙可调的优点，是一种理想的光电材料。本发明在传统GaN光电阴极结构的基础上，采用了拓扑态的GaN材料作为光电阴极的电子发射层，其性能优良、灵活性较高，为相关材料实现宽带高响应探测的光电阴极提供了一种新的方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 掺杂 拓扑 gan 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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