[发明专利]电极分层爬坡的薄膜铌酸锂调制器及其制备方法有效
| 申请号： | 202310678899.1 | 申请日： | 2023-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN116400522B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李金野;刘建国;李德辰;李明轩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张博 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电极分层爬坡的薄膜铌酸锂调制器及其制备方法，属光电子集成器件技术领域，薄膜铌酸锂调制器包括衬底层，二氧化硅层，铌酸锂薄膜层；铌酸锂薄膜层上制备有马赫‑曾德尔结构，包括：输入端，用于输入光的注入，并将输入光分为两路光；两条光波导，形成于铌酸锂薄膜层表面，用于分别传输上述两路光并在外部电场作用下进行电光调制；输出端，用于将经过调制后的两路光进行合束并输出；电极层，包括多条设置于每条光波导旁的条形电极，使得条形电极在通电后形成电场对两条光波导内的光进行调制，条形电极和光波导存在交叠区域；多层介质隔离层，设置于条形电极和光波导交叠的区域且夹设于光波导和条形电极之间，以产生隔离作用。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 分层 爬坡 薄膜 铌酸锂 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310678899.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：仿生河马汗液及其制备方法与应用
- 下一篇：一种紫外线杀菌效果确定方法
