[发明专利]SONOS存储器的形成方法在审
| 申请号： | 202310634411.5 | 申请日： | 2023-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN116568039A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 彭景淞;张可钢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 张亚静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SONOS存储器的形成方法，包括：提供衬底，在衬底内形成存储管区域有源区，在存储管区域有源区上依次形成形成ONO层、第一多晶硅和硬掩膜层；在硬掩膜层、第一多晶硅内形成第一开口，第一开口内暴露出ONO层的表面；从第一开口向存储管区域有源区的方向，依次刻蚀ONO层和存储管区域有源区形成位于存储管区域有源区内的凹槽；在凹槽的内壁形成阻挡氧化层；通过阻挡氧化层向存储管区域有源区内注入离子，以在存储管区域有源区内形成存储管的源极；去除阻挡氧化层；在凹槽的内壁形成选择管氧化层；在凹槽和第一开口内形成选择管的栅极；刻蚀第一多晶硅，以形成存储管的栅极。本发明能分开对存储管和选择管施加电压。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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