[发明专利]MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310633527.7 | 申请日： | 2023-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN116666465A | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 桂鹏彬;赵远方;李言辉;孙言明;王思亮;曾玮;陈志亮;黄志祥 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/108;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 合肥国和专利代理事务所(普通合伙) 34131 | 代理人： | 孙永刚 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器，其包括具有金字塔结构的硅基底和覆盖在硅基底上表面的MXene薄膜，MXene薄膜的覆盖面积为硅基底上表面的5％‑75％，在未覆盖有MXene薄膜的硅基底上表面设置InGa电极，InGa电极与MXene薄膜不接触；所述金字塔结构尺寸不同交错排列，MXene与金字塔结构的硅形成肖特基结。本发明提供一种简单且可重复的碱性溶液水浴加热的方式得到金字塔结构硅基底的方法和使用低成本滴涂的方式将MXene转移到金字塔结构硅基底上制作MXene/金字塔结构硅衬底的光电探测器。这种具有自供电且性能优越的光电探测器，为基于MXene/Si肖特基结结构在光电探测器中的应用开拓了前景。 | ||
| 搜索关键词： | mxene 金字塔结构 衬底 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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