[发明专利]一种改善膜层均匀性的CSD镀膜结构在审
| 申请号: | 202310633522.4 | 申请日: | 2023-05-31 | 
| 公开(公告)号: | CN116779715A | 公开(公告)日: | 2023-09-19 | 
| 发明(设计)人: | 舒振江;任宇航;任宇珂;张卫彪 | 申请(专利权)人: | 浙江尚越新能源开发有限公司 | 
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0392 | 
| 代理公司: | 杭州知见专利代理有限公司 33295 | 代理人: | 张华 | 
| 地址: | 311100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 | 
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 | 
| 摘要: | 本发明涉及一种改善膜层均匀性的CSD镀膜结构,解决现有的CSD喷淋镀膜装置膜层均匀性不佳的问题。本结构前后两端分别设置放卷轴和收卷轴,放卷轴和收卷轴之间输送CIGS基底,其特征在于:所述放卷轴和收卷轴之间依次设置沉积区、清洗区、风干区,所述沉积区前端的基底上方依次设置去离子水喷杆和硫脲喷杆,所述离子水喷杆的喷口朝后下方倾斜设置,所述硫脲喷杆的喷口竖直朝下设置,离子水喷杆和硫脲喷杆在基底上的喷射落点重叠。本发明将去离子水喷杆和硫脲喷杆的喷淋落点重合,同时通过改进喷杆的喷孔设计,及基底下方的加热块改为石墨加热块,提高了镀膜的均匀性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 改善 均匀 csd 镀膜 结构 | ||
【主权项】:
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
                
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





