[发明专利]一种SARADC电容阵列校准方法和电路在审
| 申请号： | 202310622630.1 | 申请日： | 2023-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN116707527A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 牛义;李永凯;沈堃;杨平;李向全;张靖;武鹏;乔仕超 | 申请（专利权）人： | 南京铭芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/10 | 分类号： | H03M1/10;H03M1/12 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江宁区苏源大道*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种SARADC电容阵列校准方法和电路，涉及半导体集成电路领域。本发明的校准方法包括下述步骤：(1)在校准模式下，SARADC中的电容阵列DAC的高位电容对基准电压进行采样，然后低位电容对高位电容进行量化，根据量化结果计算出高位电容的权重误差作为误差补偿码，并存储；(2)在正常工作模式下，SARADC完成对输入模拟信号的采样和量化，根据SARADC中的比较器结果提取需要做权重误差补偿的权重位的误差补偿码，计算出总的补偿值，并与SARADC输出的未经校准的输出结果相加，得出校准后的输出结果。本发明无需测量比较器噪声，即可精确测量电容阵列DAC的权重误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 saradc 电容 阵列 校准 方法 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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