[发明专利]一种表征KDP晶体表面缺陷微铣削修复过程切削模式的方法在审

专利信息
申请号: 202310611461.1 申请日: 2023-05-29
公开(公告)号: CN116882073A 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 程健;雷鸿钦;张紫晓;陈继祥;陈广;陈明君;赵林杰;王景贺;丁雯钰 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G06F30/17 分类号: G06F30/17;B23C3/00;G06F30/20;G06T17/00;G06F119/14;G06F111/10
代理公司: 黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司 23217 代理人: 杨立超;冉雪娇
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明一种表征KDP晶体表面缺陷微铣削修复过程切削模式的方法,涉及光学元件加工技术领域,为解决现有方法将工件材料的表面假设为无缺陷表面,尚未建立考虑微缺陷存在的球头微铣削切削比能三维模型的问题。包括如下步骤:步骤一、选择修复工艺参数,测量晶体表面缺陷深度;步骤二、建立球头微铣削平均切削面积的三维计算模型;步骤三、采集表面缺陷微铣削修复过程中切削力;步骤四、构建球头微铣削修复过程的切削比能模型;步骤五、基于所述切削比能模型,分析微铣削修复过程中的切削模式。本发明为实际修复过程中表面质量的改善、尺寸效应的控制及工艺参数的优选提供参考,以进一步提高KDP晶体元件的修复表面质量。
搜索关键词: 一种 表征 kdp 晶体 表面 缺陷 铣削 修复 过程 切削 模式 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310611461.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top