[发明专利]一种表征KDP晶体表面缺陷微铣削修复过程切削模式的方法在审
申请号: | 202310611461.1 | 申请日: | 2023-05-29 |
公开(公告)号: | CN116882073A | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 程健;雷鸿钦;张紫晓;陈继祥;陈广;陈明君;赵林杰;王景贺;丁雯钰 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G06F30/17 | 分类号: | G06F30/17;B23C3/00;G06F30/20;G06T17/00;G06F119/14;G06F111/10 |
代理公司: | 黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司 23217 | 代理人: | 杨立超;冉雪娇 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明一种表征KDP晶体表面缺陷微铣削修复过程切削模式的方法,涉及光学元件加工技术领域,为解决现有方法将工件材料的表面假设为无缺陷表面,尚未建立考虑微缺陷存在的球头微铣削切削比能三维模型的问题。包括如下步骤:步骤一、选择修复工艺参数,测量晶体表面缺陷深度;步骤二、建立球头微铣削平均切削面积的三维计算模型;步骤三、采集表面缺陷微铣削修复过程中切削力;步骤四、构建球头微铣削修复过程的切削比能模型;步骤五、基于所述切削比能模型,分析微铣削修复过程中的切削模式。本发明为实际修复过程中表面质量的改善、尺寸效应的控制及工艺参数的优选提供参考,以进一步提高KDP晶体元件的修复表面质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 表征 kdp 晶体 表面 缺陷 铣削 修复 过程 切削 模式 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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