[发明专利]一种一维纳米二氧化锡增强银基电接触材料的制备方法在审
| 申请号： | 202310598792.6 | 申请日： | 2023-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN116640954A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 赵金成;谢明;李红梅;李永佳 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学;玉溪师范学院 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;B22F1/18;C22C5/06;C22C32/00;B22F5/12;H01H1/0237;H01H11/04;C01G19/02 |
| 代理公司： | 云南凌云律师事务所 53207 | 代理人： | 董建国 |
| 地址： | 650000 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种一维纳米二氧化锡增强银基电接触材料的制备方法，包括如下步骤：制备纳米级氧化锡纳米棒；使用化学包覆法制备银‑氧化锡纳米棒复合粉体；使用银‑氧化锡纳米棒复合粉体制备一维纳米二氧化锡增强银基电接触材料。本发明利用水热法制备特殊尺寸和形貌的氧化锡纳米棒代替传统的氧化锡颗粒，获得的氧化锡纳米棒能够稳定电弧产生的熔池，避免熔池发生移动造成更多的侵蚀，具体表现为其具有更小的燃弧能量、燃弧时间、接触电阻，能够提高银氧化锡电接触材料的性能和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化 增强 银基电 接触 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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