[发明专利]改善钨填充性能的方法在审
| 申请号： | 202310539343.4 | 申请日： | 2023-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN116454021A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 石刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善钨填充性能的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体器件，在衬底上覆盖有半导体器件的层间介质层，层间介质层上形成有与半导体器件连通的接触孔；在接触孔表面形成阻挡层结构；选择性地在部分区域上的阻挡层结构上形成钝化层；在其他区域上的阻挡层结构上形成钨成核层；在钨成核层上形成填充接触孔的钨金属层，之后研磨钨金属层至目标厚度。本发明通过选择性生长钝化层，随后的钨填充过程中可以实现选择性的、近从底部至顶部自下而上式的生长，减少空洞或裂缝的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 填充 性能 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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