[发明专利]晶体生长方法有效
| 申请号： | 202310506574.5 | 申请日： | 2023-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN116219535B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 李林东;丁云飞;陈伟;陈志军;吴超慧;张鹏;高伟杰;许堃;李安君 | 申请（专利权）人： | 苏州晨晖智能设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杨勋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市自由贸易试验区中国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶生产技术领域，具体而言，涉及晶体生长方法，其包括分段预热、熔接和引晶；其中，分段预热包括第一预热、第二预热和第三预热，其中，第一预热时籽晶以第一预设速度朝向硅熔体的液面下降，第二预热时籽晶以第二预设速度朝向硅熔体的液面下降，第三预热时籽晶以第一预设速度朝向硅熔体的液面下降；第一预设速度、第二预设速度、第三预设速度依次减小；熔接包括：控制熔体初始接触面与硅熔体的液面接触5‑30s后，再使籽晶下降预设高度。本发明的方法能够缓解热应力，减少籽晶表面的缺陷；而且还可以减少位错生成、并缩短位错滑移长度，降低初始熔接位置位错密度，进而便于在无位错或低位错区域进行初始引晶，以提高晶体成活率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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