[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202310458248.1 | 申请日： | 2023-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN116632105A | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 古立亮;罗清威 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/762;H01L27/144 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，制造方法包括：提供半导体基材，半导体基材具有相对的功能器件面和背面；从半导体基材的功能器件面向半导体基材开设第一深沟槽，并在第一深沟槽中形成第一隔离层以作为隔离区；其中，隔离区用于隔离所述半导体基材中的器件区；从半导体基材的背面向半导体基材开设第二深沟槽，并在第二深沟槽中填充第二隔离层以形成深沟槽隔离结构；其中，第二深沟槽处于第一深沟槽在半导体基材的背面上的投影区域中；即本申请能有效加深深沟槽隔离的深度，且降低暗计数，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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