[发明专利]一种激发极化激元反向切伦科夫辐射的方法在审
| 申请号： | 202310458141.7 | 申请日： | 2023-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN116315986A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 戴庆;吴晨晨;郭相东;杨晓霞;张姝 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02;B82Y10/00;B82Y20/00;B82Y40/00;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 江中秀 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种激发极化激元反向切伦科夫辐射(CR)的方法，涉及纳米光源和电子激发技术领域，包括：S1.在芯片基底制备支持负群速度色散的双曲极化激元材料或双曲极化激元异质结材料；S2.基于制备的双曲极化激元材料，利用运动的带电粒子激发极化激元反向CR；S3.将运动的带电粒子放置于双曲极化激元材料或双曲极化激元异质结材料表面，当运动的带电粒子波矢与极化激元满足波矢匹配条件，则发生反向CR。本发明1)使用纳米线的等离激元模仿运动的带电粒子可以有效地激发极化激元反向CR；2)可以在其他基于双曲极化激元材料的异质结构中进一步调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激发 极化 反向 切伦科夫 辐射 方法 | ||
【主权项】：
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