[发明专利]用于超导ECR离子源的冷却结构及水冷弧腔组件在审

专利信息
申请号: 202310450417.7 申请日: 2023-04-24
公开(公告)号: CN116456567A 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 赵红卫;张雪珍;张子民;孙良亭 申请(专利权)人: 中国科学院近代物理研究所
主分类号: H05H1/28 分类号: H05H1/28;H01J37/32
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 谢斌
地址: 730013 甘*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开一种用于超导ECR离子源的冷却结构及水冷弧腔组件,用于超导ECR离子源的冷却结构包括:弧腔外筒及弧腔内筒,弧腔外筒包括薄壁外筒结构及位于薄壁外筒结构轴向一端外侧的外侧法兰,外侧法兰沿周向间隔地设有多个通水孔;弧腔内筒包括供薄壁外筒结构套设的薄壁内筒结构、及位于薄壁内筒结构远离外侧法兰的端部的内侧法兰,内侧法兰中间开设有设置等离子体引出电极的安装位且内部围绕安装位设置有相独立的多个折弯管路;并且,薄壁外筒结构与薄壁内筒结构相配合形成有与通水孔分别连通的多个独立孔道,一个折弯管路与其中至少两个独立孔道连通以能够形成进水管路和出水管路。本发明能够充分冷却超导ECR离子源弧腔及等离子体电极。
搜索关键词: 用于 超导 ecr 离子源 冷却 结构 水冷 组件
【主权项】:
暂无信息
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