[发明专利]一种基于三维光线追迹的晶体电光调制方法有效
| 申请号： | 202310450190.6 | 申请日： | 2023-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN116183183B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙厚鹏;李迎春;郭惠超;栾成龙;张小渔;孟勇承 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02;G01J4/00;G01J1/42;G01J9/00;G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 姜有保 |
| 地址： | 101416*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于三维光线追迹的晶体电光调制方法，包括：根据晶体的主轴折射率，确定晶体的种类、光轴朝向、通光方向及外加电压方向；根据晶体的通光口径，晶体两端电压，晶体的电光系数确定折射率变化；确定电光调制时激光射入晶体时入射角和方位角的变化范围，并根据入射角和方位角计算入射光矢量和折射光矢量；再根据菲涅尔方程，计算两条折射光线的折射率以及在晶体内传播时产生的相位差；当晶体通电后，晶体由单轴晶体变为双轴晶体，分别计算出两光轴的三维坐标，再根据折射光矢量计算出折射光线的偏振方向矢量，以确定偏振方向矢量与光轴面的夹角；根据相位差和偏振方向矢量与光轴面的夹角，计算出晶体电光调制的光强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 三维 光线 晶体 电光 调制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军战略支援部队航天工程大学，未经中国人民解放军战略支援部队航天工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310450190.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
