[发明专利]一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法及测试系统在审

专利信息
申请号: 202310446677.7 申请日: 2023-04-23
公开(公告)号: CN116471400A 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 王祖军;聂栩;黄港;赖善坤;薛院院;何宝平;马武英;盛江坤;缑石龙;姚志斌 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H04N17/00 分类号: H04N17/00
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王少文
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种辐射效应测试方法及测试系统,具体涉及一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法及测试系统,解决现有的大部分测试方法及测试系统均采用离线测量,无法反映真实运行状态下的待测CMOS图像传感器的饱和暗信号的技术问题。该粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试系统,包括辐射源、控制器、处理器、支架、依次设置于支架上的辐照板、CMOS图像传感器插座;辐照板与CMOS图像传感器插座电连接;CMOS图像传感器插座用于安装待测CMOS图像传感器;待测CMOS图像传感器位于辐射源的出射光路上;辐照板与控制器、处理器依次电连接;辐射源用于诱发待测CMOS图像传感器产生辐照损伤效应,导致待测CMOS图像传感器暗信号发生变化。
搜索关键词: 一种 粒子 辐照 cis 饱和 信号 测试 方法 系统
【主权项】:
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