[发明专利]一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法及测试系统

权利要求书

1.一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)试验前准备

安装待测CMOS图像传感器，并使待测CMOS图像传感器完全工作在暗场环境下；

2)获取辐照后暗场图像

2.1、设置待测CMOS图像传感器的曝光时间，在不同曝光时间下对待测CMOS图像传感器进行辐照，当达到待测CMOS图像传感器累积剂量点时，停止辐照，开始采集不同曝光时间下待测CMOS图像传感器辐照后数据，获得辐照后暗场图像；

2.2、计算辐照后暗场图像中每帧图像的平均暗信号，得到辐照后平均暗信号随曝光时间的变化曲线；

3)获得辐照后暗场图像的饱和暗信号

判断辐照后平均暗信号随曝光时间的变化曲线的暗信号是否达到饱和；

若未达到饱和，则重新设置待测CMOS图像传感器的曝光时间，返回步骤2.1；

若达到饱和，则得到该曝光时间下对应的暗信号，作为饱和暗信号。

2.根据权利要求1所述的一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法，其特征在于，步骤3)中，所述暗信号是否达到饱和具体为：

若辐照后平均暗信号随曝光时间的变化曲线随着曝光时间的增加，平均暗信号逐渐增加，则未达到饱和；若一定曝光时间后，平均暗信号不再随曝光时间的增加而增加，则该时曝光时间对应的平均暗信号即为饱和暗信号。

3.根据权利要求2所述的一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法，其特征在于，步骤1)中还包括：设置待测CMOS图像传感器的曝光时间，开始采集不同曝光时间下待测CMOS图像传感器辐照前数据，获得不同曝光时间下辐照前暗场图像；计算辐照前暗场图像中每帧图像的平均暗信号，得到辐照前平均暗信号随曝光时间的变化曲线；

步骤3)中还包括：对比辐照前平均暗信号随曝光时间的变化曲线和辐照后平均暗信号随曝光时间的变化曲线，获得辐照对待测CMOS图像传感器的平均暗信号影响，用于分析待测CMOS图像传感器的损伤原因。

4.根据权利要求3所述的一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法，其特征在于：

步骤1中，使待测CMOS图像传感器完全工作在暗场环境下具体为：

将待测CMOS图像传感器感光面擦拭干净，将遮光纸贴在待测CMOS图像传感器表面，使待测CMOS图像传感器完全工作在暗场环境下；

步骤4.3中，所述暗信号的范围为22-255。

5.一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试系统，用于实现权利要求1-4任一所述的一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试方法，其特征在于：包括设置于辐射场内的辐射源(4)、控制器(6)、支架(3)、依次设置于支架(3)上的辐照板(2)、CMOS图像传感器插座(1)，以及设置于辐射场外的处理器(7)；

所述辐照板(2)与CMOS图像传感器插座(1)电连接；CMOS图像传感器插座(1)用于安装待测CMOS图像传感器且待测CMOS图像传感器位于辐射源(4)的出射光路上；

所述辐照板(2)与控制器(6)、处理器(7)依次电连接；

所述辐射源(4)用于诱发待测CMOS图像传感器产生辐照损伤效应，导致待测CMOS图像传感器暗信号发生变化；

所述控制器(6)用于为待测CMOS图像传感器提供驱动信号及时钟信号配置到待测CMOS图像传感器的寄存器中，并采集待测CMOS图像传感器输出的暗场图像；

所述处理器(7)用于实现控制器(6)驱动程序的配置，更改待测CMOS图像传感器内部寄存器参数，实现曝光时间的设置，同时接收并处理待测CMOS图像传感器的暗场图像。

6.根据权利要求5所述的一种粒子辐照CIS后饱和暗信号的测试系统，其特征在于：

所述控制器(6)包括依次连接的采集单元与传输单元；

所述采集单元与辐照板(2)电连接，用于采集待测CMOS图像传感器的暗场图像；

所述传输单元与处理器(7)连接，用于将待测CMOS图像传感器的暗场图像输送至处理器(7)。