[发明专利]一种离子推力器栅极腐蚀形貌演化预测方法在审
| 申请号： | 202310426655.4 | 申请日： | 2023-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN116386741A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 朱政羲;苗龙;杨统勋 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | G16C10/00 | 分类号： | G16C10/00;G16C20/10;G06F30/20;G06F111/10 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 马文巧 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子推力器栅极腐蚀形貌演化预测方法，包括：通过实验测量获得加速栅极下游的单孔束流大小；选取一对屏栅、加速栅孔作为数值仿真研究的对象；根据束流电流和屏栅极上游等离子体密度的关系，获取初始的屏栅上游等离子体密度；根据上游等离子体密度计算获得德拜长度，并选取仿真网格的尺寸；根据中性气体碰撞模型，获得仿真区域内每个网格节点上中性气体密度；建立栅极腐蚀形貌演化模型，开始束流计算，仿真得到单孔束流大小，通过实验值进行反馈调节，确定最终的上游离子密度；处理离子与栅极的碰撞过程，开始腐蚀计算，获得栅极准确腐蚀速率；基于腐蚀速率减小网格质量，消去网格节点，实现栅极形貌的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 推力 栅极 腐蚀 形貌 演化 预测 方法 | ||
【主权项】：
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