[发明专利]一种单层铁磁合金的自旋太赫兹波发射器及其制备方法在审
| 申请号： | 202310411544.6 | 申请日： | 2023-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN116470372A | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李成;江天;韩晓桐;危波;陈亚博 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02;C30B23/02;C30B29/52;C22C5/04;C22C38/00;B82Y25/00;B82Y30/00;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖南企企卫知识产权代理有限公司 43257 | 代理人： | 任合明 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种单层铁磁合金的自旋太赫兹波发射器及其制备方法，目的是解决现有自旋太赫兹波发射器结构复杂，辐射场强较低等问题。单层铁磁合金的自旋太赫兹波发射器仅由单晶衬底和磁控溅射技术外延生长单层铁磁薄膜构成；单晶衬底为蓝宝石Al |
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| 搜索关键词： | 一种 单层 合金 自旋 赫兹 发射器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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